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    • 专利摘要:
    本实用新型公开了一种控制电路，包括开关、第一可控开关、第一电阻、第二电阻、电源芯片及处理模块，通过第一可控开关、第一电阻及第二电阻实现使电源芯片的使能端使能或失能，进而控制处理模块上电或失电。其中，在开关闭合时，第一可控开关的控制端的电平被拉低，第一可控开关导通，使电源芯片的使能端被使能，从而使处理模块上电；在开关断开时，第一可控开关的控制端的电平被第二电阻拉高，第一可控开关截止，电源芯片的使能端失能，从而使处理模块断电，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    公开号:CN214337781U
    申请号:CN202120354921.3U
    申请日:2021-02-08
    公开日:2021-10-01
    发明作者:任东亮
    申请人:IRay Technology Co Ltd；
    IPC主号:H02M1-00
    专利说明:
    [n0001] 本实用新型涉及供电领域，特别是涉及一种控制电路。
    [n0002] 请参照图1，图1为现有技术中的一种控制电路的结构框图。具体地，现有技术中控制电子产品中的处理模块通断电，一般是外挂一个MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)，MCU通过检测KEY1的状态，通过输出端与电源芯片的使能端连接，使电源芯片的使能端被使能或失能，以控制处理模块上电或断电。例如，在KEY1闭合时，MCU输出高电平信号使电源芯片使能，以使处理模块上电；在KEY1断开时，MCU输出低电平信号时电源芯片失能，以使处理模块断电。但是，通过现有技术中的方式时，MCU需要一直处于被供电的状态，才能实时监测KEY1的状态，进而控制处理模块的通断电，功耗较大。
    [n0003] 本实用新型的目的是提供一种控制电路，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    [n0004] 为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种控制电路，包括开关、第一可控开关、第一电阻、第二电阻、电源芯片及处理模块；
    [n0005] 其中，所述第一可控开关的第一端分别与电源模块及所述第二电阻的第一端连接，所述第一可控开关的第二端与所述电源芯片的使能端连接，所述电源芯片的输出端分别与第一电阻的第一端及所述处理模块的电源端连接，所述第一可控模块的控制端分别与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端及所述开关的第一端连接，所述开关的第二端接地；
    [n0006] 所述第一可控开关用于在所述开关闭合时控制自身的第一端与第二端之间导通，以使所述电源模块通过所述第一可控开关输出使能信号以使所述电源芯片使能，进而为所述处理模块供电；在所述开关断开时控制自身的第一端与第二端之间截止，以使所述电源芯片不使能以使所述处理模块断电。
    [n0007] 优选地，所述开关为贴片开关，还包括第二可控开关、第三电阻、开关检测模块及二极管；
    [n0008] 其中，所述第二可控开关的第一端与所述电源芯片的输出端连接，所述第二可控开关的控制端分别与所述第三电阻的第一端及所述处理模块的输出端连接，所述第三电阻及所述第二可控开关的第二端均接地，所述开关检测模块的第一端与所述开关的第一端连接，所述开关检测模块的第二端与所述处理模块的输入端连接，所述二极管的阳极与所述第二可控开关的第一端连接，阴极与所述开关的第一端连接；
    [n0009] 所述开关检测模块用于根据所述开关的状态输出对应的电平信号；
    [n0010] 所述处理模块用于在自身上电之后根据自身的输入端的电平信号向所述第二可控开关发送控制信号，以使所述第二可控开关的第一端与第二端之间导通或截止，以使自身持续通电或断电。
    [n0011] 优选地，所述开关检测模块包括第三可控开关及第四电阻；
    [n0012] 其中，所述第三可控开关的第一端通过所述第四电阻与所述电源芯片的输出端连接，并作为所述开关检测模块的第二端，所述第三可控开关的第二端接地，所述第三可控开关的控制端为所述开关检测模块的第一端。
    [n0013] 优选地，所述开关检测模块还包括第四可控开关及第五电阻；
    [n0014] 其中，所述第四可控开关的控制端与所述第三可控开关的第一端连接，所述第四可控开关的第一端通过所述第五电阻与所述电源芯片的使能端连接，并作为所述开关检测模块的第二端，所述第四可控开关的第二端接地。
    [n0015] 优选地，第i可控开关的第一端与第二端之间均设置第i二极管；
    [n0016] 其中，所述第i二极管的阴极与所述第i可控开关的第一端连接，所述第i二极管的阳极与所述第i可控开关的第一端连接，i为大于0且小于5的整数。
    [n0017] 优选地，所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关均为N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管NMOS管；
    [n0018] 其中，所述NMOS管的栅极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的控制端，所述NMOS管的漏极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第一端，所述NMOS管的源极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第二端。
    [n0019] 优选地，所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关均为负极-正极-负极NPN三极管；
    [n0020] 其中，所述NPN三极管的基极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的控制端，所述NPN三极管的集电极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第一端，所述NPN三极管的发射极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第二端。
    [n0021] 优选地，所述第一可控开关为P沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管PMOS管；
    [n0022] 其中，所述PMOS管的栅极为所述第一可控开关的控制端，所述PMOS管的源极为所述第一可控开关的第一端，所述PMOS管的漏极为所述第一可控开关的第二端。
    [n0023] 优选地，还包括：
    [n0024] 与所述第一可控模块的第一端连接的电源模块，用于在所述第一可控开关的第一端与第二端之间导通时，通过所述第一可控开关及所述电源芯片为所述处理模块供电。
    [n0025] 优选地，所述电源模块为可充电电池。
    [n0026] 本申请提供了一种一种控制电路，包括开关、第一可控开关、第一电阻、第二电阻、电源芯片及处理模块，通过第一可控开关、第一电阻及第二电阻实现使电源芯片的使能端使能或失能，进而控制处理模块上电或失电。其中，在开关闭合时，第一可控开关的控制端的电平被拉低，第一可控开关导通，使电源芯片的使能端被使能，从而使处理模块上电；在开关断开时，第一可控开关的控制端的电平被第二电阻拉高，第一可控开关截止，电源芯片的使能端失能，从而使处理模块断电，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    [n0027] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
    [n0028] 图1为现有技术中的一种控制电路的结构框图；
    [n0029] 图2为本实用新型提供的一种控制电路的结构框图；
    [n0030] 图3为本实用新型提供的一种控制电路的具体实现示意图。
    [n0031] 本实用新型的核心是提供一种控制电路，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    [n0032] 为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
    [n0033] 请参照图2，图2为本实用新型提供的一种控制电路的结构框图，该电路包括开关、第一可控开关Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、电源芯片及处理模块；
    [n0034] 其中，第一可控开关Q1的第一端分别与电源模块及第二电阻R2的第一端连接，第一可控开关Q1的第二端与电源芯片的使能端连接，电源芯片的输出端分别与第一电阻R1的第一端及处理模块的电源端连接，第一可控模块的控制端分别与第一电阻R1的第二端、第二电阻R2的第二端及开关的第一端连接，开关的第二端接地；
    [n0035] 第一可控开关Q1用于在开关闭合时控制自身的第一端与第二端之间导通，以使电源模块通过第一可控开关Q1输出使能信号以使电源芯片使能，进而为处理模块供电；在开关断开时控制自身的第一端与第二端之间截止，以使电源芯片不使能以使处理模块断电。
    [n0036] 考虑到现有技术使用一个单独的芯片(如MCU)检测开关的状态进而使电源芯片的使能端使能的时候，此芯片需要一直处于带电的状态，功耗较大。此外，芯片的体积较大，使得应用此芯片的电子产品的体积较大。
    [n0037] 为解决上述技术问题，本申请提供的控制电路，通过第一可控开关Q1、第一电阻R1及第二电阻R2实现使电源芯片的使能端使能或失能，进而控制处理模块上电或失电。具体地，在开关闭合时，第一可控开关Q1的控制端的电平被拉低，第一可控开关Q1导通，使电源芯片的使能端被使能，从而使处理模块上电；在开关断开时，第一可控开关Q1的控制端的电平被第二电阻R2拉高，第一可控开关Q1截止，电源芯片的使能端失能，从而使处理模块断电，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    [n0038] 需要说明的是，本申请中的第一可控开关Q1为控制端为低电平时，控制自身的第一端与第二端之间导通的电子器件，具体实现方式，本申请在此不再限定。
    [n0039] 综上，本申请中的控制电路，不需要使用持续带电的MCU检测开关的状态，以使处理模块上电，且在处理模块未上电时的功耗几乎为零，减小了功耗。
    [n0040] 在上述实施例的基础上：
    [n0041] 请参照图3，图3为本实用新型提供的一种控制电路的具体实现示意图。
    [n0042] 作为一种优选的实施例，开关为贴片开关，还包括第二可控开关Q2、第三电阻R3、开关检测模块及二极管；
    [n0043] 其中，第二可控开关Q2的第一端与电源芯片的输出端连接，第二可控开关Q2的控制端分别与第三电阻R3的第一端及处理模块的输出端连接，第三电阻R3及第二可控开关Q2的第二端均接地，开关检测模块的第一端与开关的第一端连接，开关检测模块的第二端与处理模块的输入端连接，二极管的阳极与第二可控开关Q2的第一端连接，阴极与开关的第一端连接；
    [n0044] 开关检测模块用于根据开关的状态输出对应的电平信号；
    [n0045] 处理模块用于在自身上电之后根据自身的输入端的电平信号向第二可控开关Q2发送控制信号，以使第二可控开关Q2的第一端与第二端之间导通或截止，以使自身持续通电或断电。
    [n0046] 考虑到一些电子产品使用可能不是拨动开关，可能是贴片开关，也即开关动作一次为闭合然后再截止，此时需要在开关闭合并截止后也能保持处理模块持续上电。因此，本申请中的控制模块还包括第二可控开关Q2、第三电阻R3、开关检测模块及二极管。
    [n0047] 具体地，开机过程为：用户按下开关时，第一可控开关Q1的控制端的电平被拉低，第一可控开关Q1导通，使电源芯片的使能端被使能，从而使处理模块上电，此时，处理模块可以输出一个控制信号使第二可控开关Q2的第一端与第二端之间导通，从而第一可控开关Q1的控制端通过第二可控开关Q2的第一端与第二端接地，也即是第一可控开关Q1的控制端仍被拉低，此时，第一可控开关Q1的第一端与第二端仍然处于导通状态，也即是处理模块保持通电的状态。在开关为贴片开关，也即是松开开关之后，处理模块仍处于通电的状态。
    [n0048] 具体地，关机过程为：在处理模块持续处于通电的状态时，开关的状态通过开关检测模块输出的电平信号反馈至处理模块，并在用户按下开关时，开关检测模块输出的电平信号发生变化，在处理模块检测到输入端的电平发生变化时，输出与另一个控制信号使第二可控开关Q2的第一端与第二端之间截止，从而第一可控开关Q1的控制端通过第二电阻R2被拉高，也即是第一可控开关Q1的控制端为高电平状态，此时，第一可控开关Q1的第一端与第二端之间截止，也即是处理模块断电。在开关为贴片开关时，也即是松开开关之后，处理模块处于断电的状态。
    [n0049] 其中，需要说明的是，在处理模块处于通电状态时，由于二极管的单向导电性，可以避免在第二可控开关Q2的第一端与第二端之间导通时，开关检测模块的第一端被拉低，从而使开关失效，无法实现关机的功能，而是使开关检测模块的第一端在第一电阻R1的作用下与电源芯片的输出端基本保持一致，因此，开关检测模块输出的电平信号不受第二可控开关Q2的影响。
    [n0050] 综上，采用本实施例中的方式不需要使用持续带电的芯片控制使处理模块上电或断电，减小了功耗，且电路组成简单，软件逻辑性简单，可靠性高。
    [n0051] 作为一种优选的实施例，开关检测模块包括第三可控开关Q3及第四电阻R4；
    [n0052] 其中，第三可控开关Q3的第一端通过第四电阻R4与电源芯片的输出端连接，并作为开关检测模块的第二端，第三可控开关Q3的第二端接地，第三可控开关Q3的控制端为开关检测模块的第一端。
    [n0053] 作为一种优选的实施例，开关检测模块还包括第四可控开关Q4及第五电阻R5；
    [n0054] 其中，第四可控开关Q4的控制端与第三可控开关Q3的第一端连接，第四可控开关Q4的第一端通过第五电阻R5与电源芯片的使能端连接，并作为开关检测模块的第二端，第四可控开关Q4的第二端接地。
    [n0055] 作为一种优选的实施例，第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4均为NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管)管；
    [n0056] 其中，NMOS管的栅极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的控制端，NMOS管的漏极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的第一端，NMOS管的源极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的第二端。
    [n0057] 作为一种优选的实施例，第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4均为NPN((Negative-Positive-Negative，负极-正极-负极)三极管；
    [n0058] 其中，NPN三极管的基极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的控制端，NPN三极管的集电极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的第一端，NPN三极管的发射极为第二可控开关Q2、第三可控开关Q3及第四可控开关Q4的第二端。
    [n0059] 本申请提供了一种开关检测模块的具体实现方式，其中，开关检测模块包括第三可控开关Q3及第四电阻R4，此时，在开关按下闭合时，处理模块上电，第三可控开关Q3的控制端(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)被拉低为低电平，此时对应的第三可控开关Q3的第一端与第二端之间导通(NMOS管的漏极与源极之间导通或NPN三极管的集电极与基极之间导通)，此时处理模块的输出端检测到低电平信号，也即是处理模块的输入端为低电平信号时，开关处于闭合状态；在开关弹起截止后，第三可控开关Q3的控制端(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)被拉高为高电平信号，此时对应的第三可控开关Q3的第一端与第二端之间截止(NMOS管的漏极与源极之间截止或NPN三极管的集电极与基极之间截止)，此时处理模块的输出端检测到高电平信号，也即是，也即是，处理模块的输入端检测到低电平信号时，开关闭合，处理模块的输入端为高电平信号时，开关处于截止状态。
    [n0060] 本申请还提供了另一种开关检测模块的具体实现方式，其中，开关检测模块除了包括第三可控开关Q3及第四电阻R4之外，还可以包括第四可控开关Q4及第五电阻R5。此时，在开关按下闭合，处理模块上电之后，第三可控开关Q3的控制端(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)被拉低为低电平，此时对应的第三可控开关Q3的第一端与第二端之间导通(NMOS管的漏极与源极之间导通或NPN三极管的集电极与基极之间导通)，第四可控开关Q4的控制端被拉低为低电平(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)，则第四可控开关Q4的第一端与第二端之间截止(NMOS管的漏极与源极之间截止或NPN三极管的集电极与基极之间截止)，处理模块的输入端检测到高电平信号；在开关弹起截止之后，第三可控开关Q3的控制端(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)被拉高为高电平，此时对应的第三可控开关Q3的第一端与第二端之间截止(NMOS管的漏极与源极之间截止或NPN三极管的集电极与基极之间截止)，第四可控开关Q4的控制端被拉高为高电平(NMOS管的栅极或者NPN三极管的基极)，则第四可控开关Q4的第一端与第二端之间导通(NMOS管的漏极与源极之间导通或NPN三极管的集电极与基极之间导通)，处理模块的输入端检测到低电平信号。也即是，处理模块的输入端检测到高电平信号时，开关闭合，检测到低电平信号时，开关截止。
    [n0061] 需要说明的是，本申请中的控制电路应用于某些电子产品中(例如手机、电脑或者平板等)，在上电时，处理模块需要先进行初始化，初始化需要一定的时间，此时，开机过程可以设置为，开关按下预设时间(为便于理解，本实施例预设时间设置为2S)，此过程时间内，处理模块完成初始化，并控制第二可控开关Q2在开关截止后仍持续上电。在需要对处理模块断电时，关机过程可以设置为，开关再一次按下与弹起之间相隔另一预设时间(为便于理解，本申请中的另一预设时间设置为3S)，处理模块检测到为关机信号时，控制第二可控开关Q2在开关截止之后使自身断电。此时，若开关为贴片开关，电子产品可以根据其他的开关按下的预设时间或方式的不同，进而执行不同的命令。
    [n0062] 为便于理解，本申请在此举一个例子，手机的开关机按键即为本申请中的开关，在手机的开关机按键按下预设时间(2S)之后，手机各模块完成初始化并上电开机；在手机开机之后开关机按键按下并弹起的时间间隔大于关机时间间隔(3S)之后，在开关机按键弹起之后，控制手机关机。此时，开关机按键为按下立即弹起对应的命令可以是使手机黑屏或亮屏等，本申请在此不再限定。
    [n0063] 综上，本申请中的开关检测模块的具体实现方式可以根据开关的状态输出对应的电平信号，以使处理模块能够检测到开关的状态，且实现逻辑简单，带你路简单易于实现。
    [n0064] 作为一种优选的实施例，第i可控开关的第一端与第二端之间均设置第i二极管；
    [n0065] 其中，第i二极管的阴极与第i可控开关的第一端连接，第i二极管的阳极与第i可控开关的第一端连接，i为大于0且小于5的整数。
    [n0066] 考虑到本申请中的第i可控开关为MOS管时，栅源极之间存在有寄生电容，本申请在第i可控开关的第一端与第二端之间还设置第i二极管，考虑到二极管具有单向导电性，以防止MOS管被击穿。
    [n0067] 作为一种优选的实施例，第一可控开关为PMOS(positive channel Metal OxideSemiconductor，P沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管)管；
    [n0068] 其中，PMOS管的栅极为第一可控开关的控制端，PMOS管的源极为第一可控开关的第一端，PMOS管的漏极为第一可控开关的第二端。
    [n0069] 本申请中的第一可控开关为低电平控制导通的开关，可以但不限于为PMOS管，本申请在此不做特别的限定。
    [n0070] 作为一种优选的实施例，还包括：
    [n0071] 与第一可控模块的第一端连接的电源模块，用于在第一可控开关Q1的第一端与第二端之间导通时，通过第一可控开关Q1及电源芯片为处理模块供电。
    [n0072] 作为一种优选的实施例，电源模块为可充电电池。
    [n0073] 本申请还提供了一种电源模块，为控制电路及电子产品供电，且考虑到电子产品为需要移动便携的电子产品时，本申请中的电源模块可以但不限于为可充电电池，在电池的电量用完之后，可以对电池进行充电，电池的可利用率较高。
    [n0074] 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
    [n0075] 还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
    [n0076] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
    权利要求:
    Claims (10)
    [0001] 1.一种控制电路，其特征在于，包括开关、第一可控开关、第一电阻、第二电阻、电源芯片及处理模块；
    其中，所述第一可控开关的第一端分别与电源模块及所述第二电阻的第一端连接，所述第一可控开关的第二端与所述电源芯片的使能端连接，所述电源芯片的输出端分别与第一电阻的第一端及所述处理模块的电源端连接，所述第一可控模块的控制端分别与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端及所述开关的第一端连接，所述开关的第二端接地；
    所述第一可控开关用于在所述开关闭合时控制自身的第一端与第二端之间导通，以使所述电源模块通过所述第一可控开关输出使能信号以使所述电源芯片使能，进而为所述处理模块供电；在所述开关断开时控制自身的第一端与第二端之间截止，以使所述电源芯片不使能以使所述处理模块断电。
    [0002] 2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述开关为贴片开关，还包括第二可控开关、第三电阻、开关检测模块及二极管；
    其中，所述第二可控开关的第一端与所述电源芯片的输出端连接，所述第二可控开关的控制端分别与所述第三电阻的第一端及所述处理模块的输出端连接，所述第三电阻及所述第二可控开关的第二端均接地，所述开关检测模块的第一端与所述开关的第一端连接，所述开关检测模块的第二端与所述处理模块的输入端连接，所述二极管的阳极与所述第二可控开关的第一端连接，阴极与所述开关的第一端连接；
    所述开关检测模块用于根据所述开关的状态输出对应的电平信号；
    所述处理模块用于在自身上电之后根据自身的输入端的电平信号向所述第二可控开关发送控制信号，以使所述第二可控开关的第一端与第二端之间导通或截止，以使自身持续通电或断电。
    [0003] 3.如权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述开关检测模块包括第三可控开关及第四电阻；
    其中，所述第三可控开关的第一端通过所述第四电阻与所述电源芯片的输出端连接，并作为所述开关检测模块的第二端，所述第三可控开关的第二端接地，所述第三可控开关的控制端为所述开关检测模块的第一端。
    [0004] 4.如权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述开关检测模块还包括第四可控开关及第五电阻；
    其中，所述第四可控开关的控制端与所述第三可控开关的第一端连接，所述第四可控开关的第一端通过所述第五电阻与所述电源芯片的使能端连接，并作为所述开关检测模块的第二端，所述第四可控开关的第二端接地。
    [0005] 5.如权利要求4所述的控制电路，其特征在于，第i可控开关的第一端与第二端之间均设置第i二极管；
    其中，所述第i二极管的阴极与所述第i可控开关的第一端连接，所述第i二极管的阳极与所述第i可控开关的第一端连接，i为大于0且小于5的整数。
    [0006] 6.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关均为N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管NMOS管；
    其中，所述NMOS管的栅极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的控制端，所述NMOS管的漏极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第一端，所述NMOS管的源极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第二端。
    [0007] 7.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关均为负极-正极-负极NPN三极管；
    其中，所述NPN三极管的基极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的控制端，所述NPN三极管的集电极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第一端，所述NPN三极管的发射极为所述第二可控开关、所述第三可控开关及所述第四可控开关的第二端。
    [0008] 8.如权利要求1-7任一项所述的控制电路，其特征在于，所述第一可控开关为P沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管PMOS管；
    其中，所述PMOS管的栅极为所述第一可控开关的控制端，所述PMOS管的源极为所述第一可控开关的第一端，所述PMOS管的漏极为所述第一可控开关的第二端。
    [0009] 9.如权利要求1-7任一项所述的控制电路，其特征在于，还包括：
    与所述第一可控模块的第一端连接的电源模块，用于在所述第一可控开关的第一端与第二端之间导通时，通过所述第一可控开关及所述电源芯片为所述处理模块供电。
    [0010] 10.如权利要求9所述的控制电路，其特征在于，所述电源模块为可充电电池。
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    公开号 | 公开日
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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